埋め浴みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• High-frequency capacitance-voltage (C-V) characteristics of a buried-channel, MOS capacitor have been analyzed. High-frequency capacitance of a buried-channel MOS capacitor that has a player at the surface of n substrate reaches a minimum value and then slightly increases to saturate in the inversion region. Poisson equation is solved numerically including hole redistribution effect by the gate-voltage change for the measurement signal. The result quantitatively explains the existence of capacitance minimum which is peculiar to a buried-channel MOS capacitor.

• 福山大学の論文

著者

• 三宅 雅保

  福山大学工学部電子電気工学科

関連論文

• 埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性の数値計算(半導体材料・デバイス)
• 半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算
• 小信号アドミッタンス計算による埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性
• チャージポンピング法によるMOS界面準位密度の測定
• 埋め浴みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
• 埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性
• MOSキャパシタの容量と等価回路
• 埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性

スポンサーリンク