MOSキャパシタの容量と等価回路
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概要
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MOSキャパシタのC-V特性の物理的理解を容易にする表現方法について述べる.微分容量であるということに注意して,電荷変化,電界変化,電位変化を考えることにより,空乏層容量が平行平板コンデンサの式で表される物理的意味を理解できる.また,電荷変化の位置,割合を表現することにより,MOSキャパシタのC-V特性の振舞いを容易に理解できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-01
著者
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