埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性の数値計算(半導体材料・デバイス)
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概要
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表面にpn接合をもつ埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性を,小信号アドミタンスを数値計算することにより求めた.ポアソンの方程式,電荷連続の方程式,電流密度の方程式を,正弦波小信号近似のもとで数値計算で簡単に解く方法について述べた.高周波C-V特性を計算した結果,反転領域で容量が極小値をもつ特有のC-V特性を説明することができた.また,C-V特性の測定周波数による違いを計算し,埋込チャネルMOSキャパシタでは表面n形層の深さが深いか不純物濃度が高いときには,蓄積領域でも周波数依存性が現れることを明らかにした.これは,表面n形層全体が反転しないため,多数キャリヤでも生成再結合の機構が影響するためである.更に,電流密度,キャリヤ濃度等の種々の変数の交流成分の深さ方向依存性を計算し,高周波信号に対する少数キャリヤの再分布の様子を明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-07-01
著者
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