短波帯高効率AM送信機実現に向けての検討(電子回路)
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概要
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短波帯(3〜30MHz)大電力送信機においては変調部の半導体化は行われているが,終段PAも含めた全半導体化は技術的に難しく,いまだ実現されていない.筆者らは,100kW級短波帯大電力送信機の全半導体化を目指して検討を行い,高効率を得るための最適なパワーデバイス(MOSFET)を選定するとともに,高効率を実現するための回路及び良好な直線性を得るための合成方法を提案した.また,短波帯においては中波帯で使用されているディジタル処理型AM変調方式デバイスの寄生ダイオードによる損失増大という課題があり,そのまま採用することができないことを示した.更に,短波帯高効率AM送信機を実現させるための最適な変調方式,回路構成を提案した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-01
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