イジングスピングラスを用いた低信頼性ナノスケール論理回路の誤り訂正
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概要
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本稿では量子効果デバイスなどのナノスケール素子により構成された論理回路の素子の誤動作や欠損に起因する誤りを,イジングスピングラス(ISG:Ising spin-glass)を用いて訂正することを試みる.素子の誤り,欠損に耐性のある論理回路を入力変換回路,冗長化された論理演算・処理回路,そして冗長回路で発生したエラーを訂正するISGから構成する.組み合わせ回路や順序回路をこのように構成し,内部のISGのエラー訂正能力を評価した.ISGは組み合わせ回路で,素子の欠損と瞬時的エラーの両方に対して高い訂正能力を示した.順序回路においても,ISGは自身の誤動作確率が低い場合,エラー訂正効果を持つ.
- 2009-07-27
著者
-
生岩 量久
広島市立大学
-
神尾 武司
広島市立大学
-
藤坂 尚登
広島市立大学
-
安 昌俊
広島市立大学
-
岡田 康宏
広島市立大学情報科学部
-
安 昌俊
広島市立大学情報科学部
-
神尾 武司
広島市大 情報科学
-
藤坂 尚登
広島市立大学情報科学部
-
生岩 量久
広島市立大学情報科学部
-
安 昌俊
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
安 晶俊
広島市立大学情報科学部
-
生岩 量久
広島市大
-
安 昌俊
千葉大学
-
安 昌俊
千葉大学工学部
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