27aB08 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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In order to investigate potential sputtering processes of wide-gap semiconductors induced by highly-charged-ion impact, three-dimensional momentum of sputtered ions from a SiC (0001) surface was measured by a newly developed device. The experimental results suggest that the potential sputtering process plays an important role in low energy interaction between highly-charged ion and SiC surface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
鶴淵 誠二
農工大院工
-
本橋 健次
農工大工
-
鶴淵 誠二
東京農工大学工学部電子情報工学科
-
本橋 健次
東京農工大
-
本橋 健次
農工大・工
-
鶴淵 誠二
東京農工大工
-
鶴渕 誠二
農工大工
-
Tsurubuchi Seiji
Tokyo University Of Agriculture And Technology Faculty Of Technology
-
Sekioka Tsuguhisa
Faculty Of Engineering Himeji Institute Of Technology
-
鶴淵 誠二
東京農工大学工学部
-
鶴淵 誠二
東京農工大
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