鶴渕 誠二 | 農工大工
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概要
関連著者
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鶴渕 誠二
農工大工
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鶴淵 誠二
農工大院工
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Sekioka Tsuguhisa
Faculty Of Engineering Himeji Institute Of Technology
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鶴淵 誠二
東京農工大工
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Tsurubuchi Seiji
Tokyo University Of Agriculture And Technology Faculty Of Technology
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本橋 健次
農工大工
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本橋 健次
農工大・工
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蟻川 達男
農工大工
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鶴淵 誠二
農工大工
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鶴渕 誠二
農工大・工
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鶴淵 誠二
農工大・工
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金沢 健一
農工大・工
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金沢 健一
農工大工
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金沢 健一
高工研
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本橋 健次
農工大院工
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絹川 亨
農工大工
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和田 雷太
農工大工
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杉田 圭
農工大工
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今野 深貴
農工大院工
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細矢 景
農工大院工
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入来 仁隆
京大院工
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小林 健二
農工大工
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鶴淵 誠二
東京農工大学工学部電子情報工学科
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纐纈 明伯
農工大院・工
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纐纈 明伯
農工大院工
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佐藤 哲也
農工大工
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佐藤 哲也
農工大・工
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二村 智昭
農工大工
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絹川 亨
東京農工大学応用物理学科
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本橋 健次
農工大院・共生科学
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鶴淵 誠二
農工大院・共生科学
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高橋 哲朗
農工大・工
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鶴淵 誠二
東京農工大学工学部
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鶴淵 誠二
東京農工大
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小林 秀一郎
農工大工
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中村 信行
電通大レーザー
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大谷 俊介
電通大レーザー
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桜井 誠
神戸大理
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山田 博之
農工大工
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櫻井 誠
神戸大理
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木村 正広
高知工科大学
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入来 仁隆
農工大院工
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小林 健二
農工大院工
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入来 仁隆
農工大工
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宇野 友裕
農工大工
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金井 悟
株式会社メイテックA
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川崎 修平
農工大工
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木村 正広
阪大理
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西沢 一生
電通大レーザー
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渡辺 裕文
電通大レーザー
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渡辺 裕文
中部大
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川崎 昌博
京大院工
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岡崎 清比古
理研
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本橋 健次
東京農工大
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菊池 俊之
農工大工
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纐纈 明伯
農工大工
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Kimura Masaki
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Ehime University
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森島 憲太
農工大工
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小高 武行
農工大工
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松見 豊
北大応電研
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川崎 昌博
北大応電研
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森島 憲太
農工大・工
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本橋 建次
農工大工
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小林 弘知
農工大工
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磯部 修
農工大工
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二村 智昭
農工大・工
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和田 雪太
農工大・工
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中尾 理史
農工大・工
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小高 武行
東京農工大学応用物理学科
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川崎 昌博
三重大工
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井上 元
国立公害研
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松尾 克敏
農工大院工
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細矢 景
農工大工
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伊藤 あい子
農工大工
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今野 深貴
農工大工
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山口 幸彦
農工大院・共生科学
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亀ケ谷 浩司
電通大レーザー研
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蟻川 達男
農工大
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長田 哲夫
明星大物理
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斉藤 裕司
農工大工
-
斉籘 裕司
農工大工
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斉藤 裕司
農工大・工
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玉野 晃正
農工大工
-
石原 章彦
農工大工
著作論文
- 20aYA-1 イオン衝撃を受けたAl表面からの二次イオン放出(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-9 イオン・表面相互作用による放出二次電子エネルギー分布の表面酸素被覆率依存性(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 4a-N-13 画像粒子分光法によるNO_2の226nm光分解の研究
- W.Benenson, J.W.Hariis,H.Stocker and H. Lutz,ed., Handbook of Physics, Springer-Verlag, Berlin heidelberg, 2002, xxv+1181p., 24/16cm, \8,990, 大学院向・専門書
- 18aTA-5 電子衝突による希ガス原子2p_9状態への直接励起断面積の測定
- 30pZF-4 Ar^+衝撃による二次電子放出率の表面吸着酸素被覆率依存性
- 24pYN-10 Ar^+衝撃によりスパッタされた励起Al原子の平均速度
- 29a-G-2 電子衝突による希ガス共鳴線の光学的振動子強度の測定
- 4a-WA-8 H^-と希ガス原子との衝突
- 27a-Q-7 カイラル分子の原子素過程
- 30aTB-7 多価イオン-固体表面衝突における多重コインシデンス実験 : 装置開発と予備実験結果(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aYA-4 ポテンシャルスパッタリングによる金属表面からのH^+放出(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-10 低速多価イオン衝突によるAl表面からの二次イオン放出過程(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aB08 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 15pTE-6 多価イオン衝突による GaN 表面からの二次イオン放出過程(原子 分子, 領域 1)
- 14pTE-6 e^-+CF_4 における解離イオンの運動量画像分光(原子・分子, 領域 1)
- 29pXN-13 低エネルギー多価イオン衝突による化合物半導体表面からの二次イオン放出過程(原子・分子)(領域1)
- 28aXD-2 多価イオンと Al および Al_2O_3 表面との相互作用
- 17aTA-8 エネルギーゲインで選別されたArCH_4 /CF_4 /N_2電荷移行衝突(q=8-12)における解離イオンの三次元運動量画像分光
- 17aTA-7 He^+/Ne^+/Ar^++CF_4衝突における発光断面積の測定
- 30aZF-6 多価イオン : 分子衝突における解離イオンの画像分光
- 30a-J-4 Li^++N_2衝突におけるLi(2P)m_l=0,±1準位への励起断面積の測定
- 2a-SA-6 Li^+ + H_2 衝突の分光学的研究
- 2a-N-5 パーフェクトロンによるケミ・イオン化の分岐比の測定
- 31p-N-9 Li^++Ar,Kr衝突の分光学的研究
- 13a-DB-1 多価イオン分光研究計画
- 9aWF-4 多価イオン・固体表面相互作用における二次イオンの放出過程(原子・分子,領域1)
- 9aWF-5 Ar^+N_2およびAr^-CF_4の2電子移行衝突により誘起された2体解離遇程(原子・分子,領域1)
- 28a-ED-9 多光子分解フラグメントの異方性因子(原子・分子)
- 25aXL-4 エネルギー利得で選別されたAr^+CH_4/CF_4衝突(q=3,8,9,11,12)における解離過程(25aXL 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 3p-A4-9 H^-と希ガス原子衝突の分光学的研究(3p A4 原子・分子)