適応バイアス技術を用いたバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの高性能化
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概要
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本稿では、適応バイアス技術によるバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの消費電力削減手法を提案する。この手法は、従来回路のテール電流部に適応バイアス技術を用いることで動作範囲を犠牲にすることなく不必要な電流を削減するものである。また、適応バイアス技術を用いる際に生じるGm特性の線形性の悪化を補償するために、抵抗領域で動作する2つのMOSFETを付加した。シミュレーションの結果より、提案手法は、トランスコンダクタの低消費電力化及び高線形化に有効であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-15
著者
-
野口 泰明
防衛大
-
野口 泰明
防衛大学校 応用物理工学
-
松元 藤彦
防衛大学校 応用物理学科
-
松元 藤彦
防衛大学校
-
宮澤 壽志大
防衛大学校 応用物理学科
-
中村 晋太朗
防衛大学校 応用物理学科
-
野口 泰明
防衛大学校 応用物理学科
-
野口 泰明
防衛大学校
-
中村 晋太朗
防衛大学校
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