移動度の低下により劣化したMOSトランスコンダクタの線形性を改善するための一手法(ネットワークプロセッサ,通信のための信号処理,符号理論,一般)
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概要
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従来のMOSトランスコンダクタは、単純な2乗則による解析から線形特性を有するとみなされてきたが、現実の回路の線形性は悪い。その最も重要な要因のひとつがゲートの垂直電界による移動度の低下である。本稿では、移動度の低下によって線形性の悪化したトランスコンダクタの線形性改善手法を提案する。移動度の低下を考慮すると数式が極めて複雑になり、伝達特性の解析解が得られない。そこで、近似を用いた線形化パラメータ導出法とその有効性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-28
著者
-
野口 泰明
防衛大
-
野口 泰明
防衛大学校 応用物理工学
-
松元 藤彦
防衛大学校 応用物理学科
-
松元 藤彦
防衛大学校
-
谷地舘 陽
防衛大学校 応用物理学科
-
北島 皓興
防衛大学校応用物理学科
-
野口 泰明
防衛大学校 応用物理学科
-
野口 泰明
防衛大学校
-
谷地舘 陽
防衛大学校応用物理学科
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