ESDガンの接触放電に対する内蔵インダクタの放電電流立ち上がり波形に及ぼす影響(放電/電力/一般)
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概要
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IEC(国際電気標準会議)では,帯電人体による静電気放電(ESD:Electrostatic discharge)を模擬した耐性試験法(IEC61000-4-2)を制定し,ESDガンの接触放電に対する放電電流波形を規定している.しかしながら,放電電流の立ち上がり時間,第一ピークと30nsおよび60nsの振幅値とそれらのばらつきだけを定め,電流波形そのものを規定しているわけではない.特に電流の立ち上がり時間は0.7nsから1nsに制限されるが,これは電流注入用の先端電極と直列に挿入したインダクタによって実現されるが,その周波数特性によっては放電電流の立ち上がり波形は異なり,それ故に試験結果は内蔵インダクタのインピーダンスに左右される恐れがある.本研究では,内蔵インダクタの電流立ち上がり波形に及ぼす影響を調べるために,ESDガンの接触放電に対する放電電流波形と磁界プローブによる近傍磁界波形を同時測定し,内蔵インダクタを同じサイズの金属円柱体と代替したESDガンの場合と比較した.その結果,放電電流の立ち上がり波形のひずみが磁界プローブの誘導出力波形も歪ませるのに対して,金属円柱体内蔵のESDガンでは立ち上がり時間は400ps程度に短くなるものの,電流の立ち上がり波形と磁界誘導出力波形には歪みはみられないことがわかった.つぎに,ESDガンの接触放電に対する放電電流の規定波形をシミュレートし得る計算式を用いて,内蔵インダクタと代替金属円柱体のESDガンに対する放電電流の立ち上がり波形とそれで誘導される磁界プローブの出力波形を計算したところ,内蔵インダクタの場合は計算と測定の両波形は一致しないが,金属円柱体に対しては概ね一致することが確認できた.これらのことは,ESDガンの内臓インダクタの周波数特性によっては耐性試験の結果が異なることを示唆するものであり,それ故にESDガンの放電電流波形に対しては,立ち上がり時間だけでなく,立ち上がり波形も規定する必要があると考える.
- 2008-12-12
著者
-
藤原 修
名古屋工業大学大学院
-
山中 幸雄
独立行政法人情報通信研究機構
-
高 義礼
名古屋工業大学大学院
-
石上 忍
独立行政法人情報通信研究機構
-
山中 幸雄
独立行政法人 情報通信研究機構
-
戸谷 史彦
名古屋工業大学大学院
-
山中 幸雄
(独)情報通信研究機構
-
山中 幸夫
郵政省通信総合研究所
-
山中 幸雄
情報通信研究機構emc計測グループ
-
藤原 修
名古屋工業大学
-
山中 幸雄
独立行政法人・情報通信研究機構
-
石上 忍
独立行政法人・情報通信研究機構
-
石上 忍
独立行政法人情報通信研究機構電磁波計測研究所電磁波環境研究室
-
戸谷 史彦
名古屋工業大学大学院情報工学専攻
-
戸谷 史彦
名古屋工業大学
-
高 義礼
名古屋工業大学
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