CoSi焼結体におけるNiおよびCuの添加効果
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概要
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CrSi_2-CoSi junction devices are expected as a thermoelectric element useful at high temperatures above 1300℃, but the thermoelectric power in CoSi is about half of that in CrSi_2. Attempts were made to improve the thermoelectric power of CoSi by adding 5 to 10% of the neighboring elements Mn, Fe, Ni or Cu. Ni or Cu addition reduced the resistivity at room temperature. Sintered bodies added with various amounts of Ni and Cu were produces to evaluate the thermoelectric properties. In the case of 0.1% Ni addition, the thermoelectric power was almost equal to that of the sample without the addition, while the resistivity was reduced by 25% of that without the addition.
- サレジオ工業高等専門学校の論文
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