C-10-3 非矩形パルスを用いたCNOTゲート動作シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-07
著者
-
山田 徳史
福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻
-
山本 弘明
福井大学大学院工学研究科情報・メディア専攻
-
山本 弘明
福井大学大学院工学研究科情報・メデイア工学専攻
-
森 弘至
福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻
-
山本 弘明
福井大学工学部
-
山本 弘明
福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻
関連論文
- 27pQC-8 ガウス型波束の散乱問題への新しいアプローチ : リアルタイムシミュレーションも可能な方法(量子カオス系・量子論基礎(その他の量子力学系を含む),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 30aTX-7 ポテンシャル構造を透過した波束の簡潔な近似表現 : 既存の近似式との比較および波束のトンネル確率の計算への応用(30aTX 量子ドット・量子干渉(非平衡・非線形伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pVD-2 ポテンシャル障壁にガウス型波束が入射した場合の透過波束の新たな表現(20pVD 量子論基礎・量子カオス系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pTW-11 ラーモア時間とビューテッカ・ランダウアー時間の物理的意味(量子カオス・量子系一般,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 18pWD-14 到達時刻の問題におけるKijowski分布の位置づけについて : decoherent histories approachによる考察(量子力学・量子カオス,領域11,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- MOSFETにおける極薄酸化膜のトンネル電流と酸化膜遷移層の考察
- 非対称二重障壁構造を1周期とするN重障壁構造における共鳴トンネル特性(半導体材料・デバイス)
- 非対称二重障壁構造を連結した四重障壁構造の共鳴トンネル現象の解析
- C-10-3 非矩形パルスを用いたCNOTゲート動作シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 外部井戸付き二重障壁構造におけるトンネル電流のピーク対バレー比の解折(半導体材料・デバイス)
- 非対称二重障壁構造を一周期とするN重障壁構造におけるトンネル現象の解析
- 外部井戸を有する非対称三重障壁構造におけるトンネル特性の解析
- 前付き井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性
- C-10-4 前付き井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 外部井戸を有する対称三重障壁構造における共鳴トンネル特性
- 外部井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性及び滞在時間の解析
- 非対称二重障壁構造における滞在時間の共鳴点電圧依存性(半導体材料・デバイス)
- 非対称方形2重障壁構造における波束のピーク出現時間の解析(半導体材料・デバイス)
- 加速井戸を有する非対称方形2重障壁構造におけるトンネル現象の解析(半導体材料・デバイス)
- 重障壁構造における電界下の共鳴トンネル現象の理論解析
- C-10-13 加速井戸を有する非対称矩形二重障壁構造における共鳴トンネル現象
- バイアス電界下の2重障壁構造における共鳴トンネル現象の理論解析
- 非対称四重障壁構造における独立した3つの完全共鳴条件
- 共鳴トンネル特性のステップ近似解析法についての考案
- C-10-12 電界印加時の二重障壁構造における共鳴トンネル現象の解析
- 成長型モデルを用いた陰関数曲面のモデリング
- 深い井戸を有する対称矩形四重障壁構造における共鳴トンネル現象
- D-11-117 成長型モデルを用いた陰関数図形の形状モデリング
- 拡張された確率過程的サンプリング法に基づく複雑曲面の形状理解
- 球形トナ-粒子の帯電電荷量の測定
- トナー粒子に作用する付着力の測定法
- 球形トナー粒子の帯電電荷量対質量比の測定法
- 平行平板電極間におけるトナー粒子の挙動
- チップ部品画像の領域分割用光学フィルタの一設計法
- N重複合障壁構造における共鳴トンネル現象
- 対称矩形三重障壁構造における共鳴トンネル現象
- 対称矩形四重障壁構造における完全共鳴と擬似共鳴
- 非対称二重障壁構造における共鳴条件
- 対称四重障壁構造における電子の共鳴トンネル現象
- D-11-165 確率過程を用いた陰関数図形の高速レンダリング
- 透過振幅の微分で表される4つの「トンネル時間」の統一的導出(場の量子論の基礎的諸問題と応用,研究会報告)
- 非対称四重障壁構造における独立した3つの完全共鳴条件
- C-10-18 量子ポテンシャル散乱における障壁通過時間の再考(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 波束のポテンシャル散乱における障壁通過時間の再検討(半導体材料・デバイス)
- 波束のポテンシャル散乱における障壁通過時間の再検討