重障壁構造における電界下の共鳴トンネル現象の理論解析
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概要
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3重障壁構造中での共鳴トンネル現象を実際のデバイスへ応用することを想定し,バイアス電圧が,印加された非対称な3重障壁構造におけるトンネル現象に関して,トンネル透過係数の理論解析式と共鳴条件を導出した.その数値解析結果より,バイアス電圧を大きくしていくに従って,いったんは減少していく共鳴スペクトルの透過ピーク値が途中から上昇に転じ,その値が1となるスペクトル(完全共鳴)が複数現れるという,2重以下の障壁構造では見られない興味深い現象が現れることを見出し,このときの共鳴条件について考察した.更に,3重障壁構造のトンネル透過特性が3重障壁共鳴トンネルダイオードの電圧-電流特性に与える影響についても検討した.導出された解析式を用いて3重障壁構造における共鳴バイアス電圧を決定することができ,本論文で得られた結論は3重障壁構造を用いた共鳴トンネルデバイスの設計に有用であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-01
著者
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田中 覚
立命館大学情報理工学部メディア情報学科
-
田中 覚
立命館大学
-
山田 徳史
福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻
-
山田 徳史
福井大学工学部
-
荒川 正和
福井工業高等専門学校
-
山本 弘明
福井大学大学院工学研究科情報・メデイア工学専攻
-
山本 弘明
福井大学工学部情報・メディア工学科
-
田中 覚
福井大学工学部情報・メディア工学科
-
荒川 正和
電気電子工学科
-
山本 弘明
福井大学工学部
-
山本 弘明
福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻
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