山本 弘明 | 福井大学大学院工学研究科情報・メデイア工学専攻

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• 山本 弘明

  福井大学工学部

• 山本 弘明

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 山田 徳史

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 山本 弘明

  福井大学工学部情報・メディア工学科

• 濱口 浩規

  大学院工学研究科システム設計工学専攻:(現)株式会社ファイ・マイクロテック勤務

• 山田 徳史

  福井大学工学部

• 山本 弘明

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア専攻

• 田倉 洋幸

  福井大学大学院工学研究科情報・メデイア工学専攻

• 濱口 浩規

  福井大学大学院工学研究科システム設計工学専攻

• 田中 覚

  立命館大学情報理工学部メディア情報学科

• 田中 覚

  立命館大学

• 荒川 正和

  福井工業高等専門学校

• 篠 競

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 濱口 浩規

  大学院工学研究科システム設計工学専攻

• 山本 弘明

  情報メディア工学科

• 濱口 浩規

  福井大学工学研究科

• 阿部 真幸

  福井大学大学院工学研究科情報工学専攻

• 仲野 豊

  福井大学工学部情報・メディア工学科

• 松浦 次雄

  福井県工業技術センター

• 大橋 祐介

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 谷口 慶治

  福井大

• 山本 弘明

  福井大学 工学部

• 今井 康人

  福井大学大学院情報・メディア工学科

• 渡辺 貞一

  福井大学

• 仲野 豊

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 谷口 慶治

  福井大 工

• 山本 弘明

  Department Of Information Science Faculty Of Engineering Fukui University

• 堀田 正道

  福井大学大学院工学研究科情報・メデイア工学専攻

• 根津 浩倫

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 森 弘至

  福井大学大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 田倉 洋幸

  大学院工学研究科情報・メディア工学専攻

• 田倉 洋幸

  福井大学工学研究科

• 阿部 真幸

  (株)NTTデータ北陸

• 木村 正憲

  (株)三協精機製作所

• 山田 徳史

  情報メディア工学科

• 篠 競

  情報メディア工学科

• 板村 啓人

  福井大学大学院工学研究科情報工学専攻

• 田中 覚

  福井大学工学部情報・メディア工学科

• 濱口 浩規

  福井大学 工学部

• 田中 覚

  福井大学 工学部

• 山田 徳史

  福井大学 工学部

• 荒川 正和

  電気電子工学科

• 渡辺 貞一

  福井大学工学部情報・メディア工学科

• 徐 暁林

  福井大学大学院

• 朱 虹

  福井大学大学院

• 谷口 慶治

  福井大学大学院

• 渡辺 貞一

  福井大学大学院

• 江川 宗治

  株式会社村田製作所

• 松浦 次雄

  福井県工業技術センタ

• 朱 虹

  中国・西安理工大学

• 谷口 慶治

  福井大学 工

• 荒川 正和

  福井工業高等専門学校電気電子工学科

• 仲野 豊

  福井大学大学院工学研究科 情報・メディア工学専攻

• 大橋 祐介

  福井大学大学院工学研究科システム設計工学専攻

• 大橋 祐介

  福井大学大学院工学研究科 情報・メディア工学専攻

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著作論文

• MOSFETにおける極薄酸化膜のトンネル電流と酸化膜遷移層の考察
• 非対称二重障壁構造を1周期とするN重障壁構造における共鳴トンネル特性(半導体材料・デバイス)
• 非対称二重障壁構造を連結した四重障壁構造の共鳴トンネル現象の解析
• C-10-3 非矩形パルスを用いたCNOTゲート動作シミュレーション(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 外部井戸付き二重障壁構造におけるトンネル電流のピーク対バレー比の解折(半導体材料・デバイス)
• 非対称二重障壁構造を一周期とするN重障壁構造におけるトンネル現象の解析
• 外部井戸を有する非対称三重障壁構造におけるトンネル特性の解析
• 前付き井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性
• C-10-4 前付き井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• 外部井戸を有する対称三重障壁構造における共鳴トンネル特性
• 外部井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性及び滞在時間の解析
• 非対称二重障壁構造における滞在時間の共鳴点電圧依存性(半導体材料・デバイス)
• 非対称方形2重障壁構造における波束のピーク出現時間の解析(半導体材料・デバイス)
• 加速井戸を有する非対称方形2重障壁構造におけるトンネル現象の解析(半導体材料・デバイス)
• 重障壁構造における電界下の共鳴トンネル現象の理論解析
• C-10-13 加速井戸を有する非対称矩形二重障壁構造における共鳴トンネル現象
• バイアス電界下の2重障壁構造における共鳴トンネル現象の理論解析
• 非対称四重障壁構造における独立した3つの完全共鳴条件
• チップ部品画像の領域分割用光学フィルタの一設計法

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