金属膜ナノ開口における近接場光の3次元FDTD法解析(垂直磁気記録及び一般)
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概要
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近年,光ディスク技術において,高密度化が要求されている.しかし,光の回折限界により,現在の光記録方式による記録密度の上限は,短波長を用いた場合でも約10Gbit/inch^2であると言われている.そこで,光の回折限界の打破を可能とする技術として,光近接場技術が注目されている.本稿では,近接場光を発生させる金属ナノ開口付近の電界分布の3次元数値解析をFDTD(Finite Difference Time Domain)法を用いて行う.なお,本解析では光の波長領域において誘電率が負となる金属媒質を対象とする電磁界解析を行うために,電子の運動方程式を考慮したFDTD法及びPML吸収境界条件を用いる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-07-05
著者
-
伊東 宏樹
関西大学大学院
-
小嶋 敏孝
関西大学大学院工学研究科
-
何 一偉
大阪電気通信大学
-
香川 晋弥
松下電器産業(株)
-
何 一偉
大阪電気通信大学工学部
-
何 一偉
大阪電気通信大学情報通信工学部
-
小嶋 敏孝
関西大学大学院
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