同期整流回路におけるセルフターンオン損失について : 駆動インピーダンスが小さい場合(エネルギー技術及び半導体電力変換一般)
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概要
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低電庄大電流用降圧形DC-DCコンバータでは、変換効率の低下を防ぐためダイオードに代わってMOSFETが広く用いられている。このローサイドMOSFETがOFFの状態でハイサイドの主スイッチがONになると、ローサイドMOSFETのドレーン・ソース間に急に電圧が印加される。この電圧の急上昇がドレーン・ゲート間容量を通じてゲートに誘起されゲート電圧が上昇し、ドレーン電流が流れる現象(セルフターンオン)が発生する。この現象により、MOSFETで損失が生じる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-07-12
著者
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原田 耕介
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
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原田 耕介
崇城大学 エネルギーエレクトロニクス研究所
-
原田 耕介
熊本工業大学電子工学科
-
村田 勝昭
崇城大学情報学部
-
原田 耕介
崇城大学情報学部 エネルギーエレクトロニクス研究所
-
原田 耕介
崇城大学情報学部
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