二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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n-チャネル低温poly-Si LDD TFTについて、プロセスシミュレータから求めたソース、ドレイン近傍の不純物分布をデバイスシミュレータ上のガウス分布で近似しモデル化を行った。このモデルのもと、電流強飽和領域では、横、縦方向電界はゲート電極端下のpoly-Si膜中で最大になり、電子分布はドレイン近傍の上側界面近くで空乏化し電流はチャネルの深い領域を流れることがわかった。このことは、DAHC劣化が上側界面、およびLDD領域の結晶粒界で始まることを示唆する。一方、電流弱飽和領域でも、横方向電界は強くLDD領域のゲート電極の下側で最大になる。このことは、素子劣化がホットエレクトロンのゲート酸化膜への注入・トラップによることを予測させる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
佐藤 利文
東京工芸大学メディア画像学科
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佐藤 利文
東京工芸大学工学部メディア画像学科
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丹呉 浩侑
東京工芸大学工学部メディア画像学科
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野上 幸里
東京工芸大学工学部
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矢島 稔久
東京工芸大学工学部
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佐藤 利文
東京工芸大 工
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丹呉 浩侑
東京工芸大 工
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