液晶ディスプレイ用低温poly-Si TFTのホットキャリア効果とゲート電流
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概要
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本報告では、液晶ディスプレイの高精細化、それに伴うTFTの微細化を図る上で信頼性上の重要な要素である、低温poly-Si TFTのホットキャリア効果による素子特性の劣化を系統的に調べた。また、これまでに報告の少ない低温poly-Si TFTのゲート電流について測定・評価した。その結果、低温poly-Si TFTの素子特性の劣化、特にVtの変化とゲート電流との間には強い相関が見られた。このことから、Si-SiO_2界面での界面準位の発生、およびpoly-Si膜の結晶粒界中に存在するトラップ準位の増加だけではなく、ゲート酸化膜中に注入され一部が捕獲されたキャリア(電子および正孔)も素子特性の劣化に寄与していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
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佐藤 利文
東京工芸大学メディア画像学科
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佐藤 利文
東京工芸大学工学部メディア画像学科
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丹呉 浩侑
東京工芸大学工学部メディア画像学科
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今井 義浩
東京工芸大学工学部画像工学科
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大畑 圭悟
東京工芸大学工学部画像工学科
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今井 義浩
東京工芸大学工学部画像工学科:(現)(株)イーヤマ
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佐藤 利文
東京工芸大 工
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丹呉 浩侑
東京工芸大 工
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