n-チャンネル低温poly-Si TFTのホットエレクトロン効果

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概要

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SD構造(single drain:通常のn+ドレイン構造)をもつn-チャンネル低温poly-Si TFTとLDD構造のTFTについて、ホットキャリヤ効果による素子劣化特性を比較した。その結果、ΔGmmax、およびΔVtは基板電流が最大になるゲート電圧で最大になること、このときのLDD構造のΔGmmaxの劣化は〜10%で、SD構造の1/8であること、ΔGmmax、ΔVtともに、短いストレス時間では、n乗則のもと、n〜0.5、それ以降ではn〜0.2、あるいはより小さい値を示すことが分かった。短いストレス時間では、Si-SiO2界面あるいは結晶粒界の界面準位の生成、その後は、ゲート酸化膜中あるいは結晶粒界、バック界面での電子のトラップによると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-12-13

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