液晶ディスプレイ用低温poly-Si TFTの ホットキャリア効果とゲート電流
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では、液晶ディスプレイ高精細化、それに伴うTFTの微細化を図る上で信頼性上の重要な要素である、低温poly-Si TFTのホットキャリア効果による素子特性の劣化を系統的に調べた。また、これまでに報告の少ない低温poly-Si TFTのゲート電流について測定・評価した。その結果、低温poly-Si TFTの素子特性の劣化、特にVtの変化とゲート電流との間には強い相関が見られた。このことから、Si-SiO_2界面での界面準位の発生、およびpoly-Si膜の結晶粒界中に存在するトラップ準位の増加だけではなく、ゲート酸化膜中に注入され一部が捕獲されたキャリア(電子および正孔)も素子特性の劣化に寄与していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
-
佐藤 利文
東京工芸大学メディア画像学科
-
佐藤 利文
東京工芸大学工学部メディア画像学科
-
丹呉 浩侑
東京工芸大学工学部メディア画像学科
-
今井 義浩
東京工芸大学工学部画像工学科
-
大畑 圭悟
東京工芸大学工学部画像工学科
-
今井 義浩
東京工芸大学工学部画像工学科:(現)(株)イーヤマ
-
佐藤 利文
東京工芸大 工
-
丹呉 浩侑
東京工芸大 工
関連論文
- ディスプレイ
- ディスプレイの不定形ムラ評価法に関する実験的検討(ディスプレイ-IDW '07を中心に-)
- 分散型ELパネルの高輝度化におけるBaTiO_3誘電体層の効果
- 両面発光分散型無機EL発光パネルの電気特性
- n-チャネル低温poly-Si TFTの電界,キャリヤ分布の2次元シミュレーション(ディスプレイ-IDW/AD'05を中心に-)
- 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 極薄ゲート酸化膜poly-Si TFTの作製・評価
- 低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による相互コンダクタンス,及びしきい値電圧の劣化 : LDD構造,及びSD(シングルドレーン)構造TFTの比較(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- n-チャンネル低温poly-Si TFTのホットエレクトロン効果
- 液晶ディスプレイ用低温poly-Si TFTのホットキャリア効果とゲート電流
- 液晶ディスプレイ用低温poly-Si TFTの ホットキャリア効果とゲート電流
- 分散型ELデバイスの開発と照明へのアプローチ
- 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- TFTの信頼性解析の現状
- 東京工芸大学 ハイパーメディア研究センター
- P&I技術 (特集 日本印刷学会創立80周年記念 この10年間の印刷の科学と技術と21世紀への展望)
- スクリーン印刷による分散型EL素子の作製
- 有機色素分散型EL素子の開発