二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
n-チャネル低温poly-Si LDD TFTについて、プロセスシミュレータから求めたソース、ドレイン近傍の不純物分布をデバイスシミュレータ上のガウス分布で近似しモデル化を行った。このモデルのもと、電流強飽和領域では、横、縦方向電界はゲート電極端下のpoly-Si膜中で最大になり、電子分布はドレイン近傍の上側界面近くで空乏化し電流はチャネルの深い領域を流れることがわかった。このことは、DAHC劣化が上側界面、およびLDD領域の結晶粒界で始まることを示唆する。一方、電流弱飽和領域でも、横方向電界は強くLDD領域のゲート電極の下側で最大になる。このことは、素子劣化がホットエレクトロンのゲート酸化膜への注入・トラップによることを予測させる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
佐藤 利文
東京工芸大学工学部メディア画像学科
-
丹呉 浩侑
東京工芸大学工学部メディア画像学科
-
野上 幸里
東京工芸大学工学部
-
矢島 稔久
東京工芸大学工学部
-
佐藤 利文
東京工芸大 工
-
丹呉 浩侑
東京工芸大 工
関連論文
- ディスプレイ
- ディスプレイの不定形ムラ評価法に関する実験的検討(ディスプレイ-IDW '07を中心に-)
- 分散型ELパネルの高輝度化におけるBaTiO_3誘電体層の効果
- 両面発光分散型無機EL発光パネルの電気特性
- n-チャネル低温poly-Si TFTの電界,キャリヤ分布の2次元シミュレーション(ディスプレイ-IDW/AD'05を中心に-)
- 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 極薄ゲート酸化膜poly-Si TFTの作製・評価
- 低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による相互コンダクタンス,及びしきい値電圧の劣化 : LDD構造,及びSD(シングルドレーン)構造TFTの比較(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- n-チャンネル低温poly-Si TFTのホットエレクトロン効果
- 液晶ディスプレイ用低温poly-Si TFTのホットキャリア効果とゲート電流
- 液晶ディスプレイ用低温poly-Si TFTの ホットキャリア効果とゲート電流
- 分散型ELデバイスの開発と照明へのアプローチ
- 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 二次元デバイスシミュレーションによるn-チャネル低温poly-Si TFTの電界、キャリヤ分布(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- TFTの信頼性解析の現状
- 東京工芸大学 ハイパーメディア研究センター
- P&I技術 (特集 日本印刷学会創立80周年記念 この10年間の印刷の科学と技術と21世紀への展望)
- スクリーン印刷による分散型EL素子の作製
- 有機色素分散型EL素子の開発