ダブルトンネルジャンクションを用いたマグネティックトンネルトランジスタ(薄膜)
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概要
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Magnetic tunnel transistors (MTTs) with double tunnel junctions were prepared in order to investigate the emitter voltage dependence of a magneto-current (MC). A three-terminal structure was fabricated, using metal shadow masks. It was observed that hot electrons contributed to a collector current. A transfer ratio of over 10^<-3> was obtained in an MTT with double tunnel junctions. The MC decreased gradually with increasing emitter voltage. The emitter voltage at which the MC decreased to half its original value was over 1.5V.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2006-03-01
著者
-
藤原 裕司
三重大学大学院工学研究科
-
小林 正
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
-
神保 睦子
大同工業大学
-
藤原 裕司
三重大学工学部
-
小林 正
三重大学工学部
-
中西 晴久
三重大学物理工学科
-
大前 春喜
三重大学物理工学科
-
藤原 裕司
三重大学物理工学科
-
小林 正
三重大学物理工学科
-
塩見 繁
三重大学物理工学科
-
塩見 繁
三重大工
-
藤原 裕司
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
-
塩見 繁
三重大学大学院工学研究科
-
小林 正
三重大学工学部物理工学科
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