B_4C系薄膜の機械的特性に及ぼす水素添加の効果(G04-2 先進加工技術とその評価,G04 機械材料・材料加工)
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概要
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In this work, the films have been prepared on silicon substrates by DC magnetron sputtering using a sintered B_4C target in Ar plasma. The DC power was fixed at 250W, ad the substrate temperature was varied from 50 to 250℃. The influences of H_2 addition as a plasma gas on the nano-indentation hardness, the adhesive strength and the friction coefficient of the films were investigated. Nano-indentation studies show that the film prepared at 250℃ without H_2 addition possessed high hardness of GPa. H_2 addition had the small effect of lowering the hardness and the adhesive strength of the film to the substrate was improved significantly by H_2 addition. Therefore, H_2 addition in the film formation process is effective for producing thin films containing boron with high hardness and high adhesive strength.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2004-09-04
著者
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