MgB_2薄膜のas-grown成長とJosephson接合の作製
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概要
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カルーセル型多元同時スパッタリング装置を用いて,as-grown MgB_2超伝導薄膜の低温合成を行った.サファイア(C-面)基板上に基板温度T_s=255℃で成膜したMgB_2薄膜がT_c〜29Kの超伝導性を示し,抵抗率はρ〜120μΩcm(@40K),抵抗比ρ(295K)/ρ(40K)〜1.2を示した.また,X線回折パターンからサファイア(A-,C-面)に成膜したMgB_2薄膜のC軸配向を確認できた.SEMによる表面観測を行った結果,表面モホロジーは成膜時の基板温度に強く依存し,高温で成膜するほど平滑な薄膜が得られることがわかった.また,as-grown MgB_2薄膜を用いJosephson接合の試作を行い,ジョセフソン電流を確認した.
- 2002-04-10
著者
-
島影 尚
情通機構関西
-
齊藤 敦
山形大工
-
王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
-
川上 彰
通信総合研究所関西支所 超電導研究室
-
島影 尚
通信総合研究所関西先端研究センター
-
齊藤 敦
通信総合研究所関西先端研究センター
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