Electrical Properties of Al/CaF_2/i-Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect-Transistor Fabricated by Ultrahigh Vacuum Process
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-11-01
著者
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小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
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Tanaka Hiroyuki
Department Of Cardiology Kurashiki Central Hospital
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SHIRAKAWA Yusuke
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
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MAKI Tetsuro
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
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KOBAYASHI Takeshi
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
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Yun Young
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Yun Young
Department Of Earth And Planetary Sciences School Of Science Tokyo Institute Of Technology
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Shirakawa Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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Shirakawa Yusuke
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Kobayashi Takeshi
Department Of Biological Chemistry College Of Bioscience And Biotechnology Chubu University
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Maki Tetsuro
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:core Research
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Maki Tetsuro
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Maki Tetsuro
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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Shirakawa Y
Tdk Corp. Chiba
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YUN Young
Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Yun Young
Semiconductor Device Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Maki T
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Tanaka Hiroyuki
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Tanaka Hiroyuki
Department of Electrical Engineering, Faculty of engineering Science, Osaka University
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