ZnMgS:Cu,Al蛍光体のカソードルミネッセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
広いMg濃度領域でZn_<1-x>Mg_xS:Cu,Al粉末蛍光体の固溶領域、結晶構造、発光特性について検討した。Mg濃度増加とともにZn_<1-x>Mg_xS:Cu,Al結晶中のwurtzite構造の割合は増加し、ZnS中のMgSの固溶限界は約20mol%であることが分かった。PLEスペクトルから求めたバンドギャップエネルギーはMg濃度増加により3.75eV(Mg=0mol%)から4.13eV(Mg=30mol%)へ増加した。0.25μA/cm^2、27.5kVで電子線励起した蛍光体のCLスペクトルでは、Mg濃度の増加によりgreen-Cu発光ピークが高エネルギー側にシフトし、Mg濃度4mol%以上の領域では2.86eV付近に新しい発光帯が観測された。CL発光色は発光スペクトルに対応して緑色から青色へ変化した。gereen-Cu発光ピークの短波良化はZn_<1-x>Mg_xS:Cu,Alバンドギャップエネルギーの増加がアクセプター(Cu^+)準位に影響を与えているために起こっていることが分かった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2002-01-25
著者
-
井上 亮
日立研究所
-
今村 伸
日立研究所
-
小松 正明
日立研究所
-
椎木 正敏
日立研究所
-
井上 亮
(株)日立製作所日立研究所
-
小松 正明
(株)日立製作所日立研究所
-
椎木 正敏
(株)日立製作所日立研究所
-
今村 伸
(株)日立製作所日立研究所
関連論文
- (Gd, Y)_3(Al, Ga)_5O_:Tb蛍光体における発光特性のGd濃度依存性
- ZnS蛍光体への電子線侵入距離の検討(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnS蛍光体への電子線侵入距離の検討
- ZnMgS:Cu,Al蛍光体のカソードルミネッセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnMgS:Cu,Al蛍光体のカソードルミネッセンス特性
- ZnMgS : Cu, Al蛍光体のカソードルミネッセンス特性
- ZnS蛍光体への電子線侵入距離の検討
- 微小重力下CdTe薄膜気相成長実験 -地上原理実験及びSFU実験テレメトリーデータ-
- 投射型ブラウン管における二層蛍光膜構造の検討
- 気相合成法ZnS:Ag, Al蛍光体における深欠陥密度の低減化
- 投射型ブラウン管における二層蛍光膜構造の検討
- 気相合成法ZnS:Ag, Al蛍光体における深欠陥密度の低減化
- 1)投射型ブラウン管用青色蛍光体ZnS : Ag, Alのトラップ評価([情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 投射型ブラウン管用青色蛍光体ZnS:Ag,Alのトラップ評価
- プラズマディスプレイ用蛍光体の輝度飽和特性
- プラズマディスプレイ用蛍光体の焼成劣化
- プラズマディスプレイ用蛍光体の輝度飽和特性
- プラズマディスプレイ用蛍光体の焼成劣化
- 金色の石に魅せられて, 佐藤勝昭著, 裳華房刊, (1990年11月5日発行), 四六判, 144頁, 定価1,133円(税込)
- 投射型ブラウン管用青色蛍光体ZnS : Ag, Alのトラップ評価