ZnS蛍光体への電子線侵入距離の検討

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概要

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• 低加速電圧領域でのZnS蛍光体への電子線侵入距離を検討した。2層膜構造蛍光体による侵入距離の実測とMonte Carloシミュレーションを用いた計算による解析を行った。2層膜構造蛍光体の測定では、ZnS:Cu,Al蛍光膜への電子線侵入距離は加速電圧7kV、粒径4μmで約12μm程度、粒径8μmで約16μm程度で推測できた。しかし、低加速電圧5-10kVでは、加速電圧の違いにより侵入距離にほとんど違いがなった。この原因は測定シミュレーション結果との比較から、低加速電圧での侵入距離に膜中ピンホール、粒界が大きく関与しているためと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-01-20

著者

• 井上 亮

  日立研究所

• 今村 伸

  日立研究所

• 小松 正明

  日立研究所

• 椎木 正敏

  日立研究所

• 井上 亮

  (株)日立製作所日立研究所

• 小松 正明

  (株)日立製作所日立研究所

• 椎木 正敏

  (株)日立製作所日立研究所

• 今村 伸

  (株)日立製作所日立研究所

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