低温poly-Si製容量型指紋センサ (<特集>「VLSI一般」)
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概要
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低温poy-Si TFTを用いて容量型指紋センサを開発し、指紋認証試験を行い良好な結果を得た。試作チップは30mm×20mm、センサ面積は20mm×15mmである。1センサーセルあたり1つのトランジスタと1つのセンサープレートで構成される。低温poly-Si TFTの閾値が大きいことを積極的に利用することで選択したセル以外にリーク電流が流れるのを防ぎ、ダイナミックレンジを高めている。この方式により423dpi(6μmピッチ)という高解像度を実現した。
- 2001-05-18
著者
-
岩田 明彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
岡本 達樹
三菱電機(株)
-
佐藤 行雄
三菱電機(株)
-
岡本 達樹
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
佐藤 行雄
三菱電機先端技術総合研究所
-
井上 満夫
三菱電機先端技術総合研究所
-
井上 満夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
橋戸 隆一
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
橋戸 隆一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
佐藤 行雄
三菱電機 先端技総研
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