データ転送速度250Mbpsの1GビットDDR-SDRAM
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概要
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250Mbpsのデータ転送速度を持つ1GビットDDR-SDRAMを開発した。用いた新規回路技術としては、(1)低ジッタ特性と低スタンバイ消費電力を両立する内部クロックジェネレータ(BDD)、(2)低電圧動作時の入力信号タイミングマージンを拡大する入力レシーバ(QCR)、(3)高い置換効率を有するリダンダンシ回路(ISR、VUR)である。
- 1999-05-27
著者
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奥田 高
Nec
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小林 康夫
Nec
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藤田 真盛
NEC
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高井 康浩
Nec
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伊佐 聡
Nec
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永田 恭一
NEC
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中沢 茂行
NEC
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廣部 厚紀
NEC
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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