低電源電圧対応のゲート受レベルシフト型内部電源回路
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概要
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DRAMの高集積化に伴い低消費電力及びトランジスタの信頼性確保のため低電圧化は必須となり、外部電源電圧2.5V、内部電源電圧2.0V程度となってきている。しかし、両者の電位差が小さくなると内部電源回路でのゲインが低下し、電流供給能力が低下するという問題が発生する。この問題解決のため、内部電圧VINT及び基準電圧VREFをゲート受レベルシフト回路で降圧しアンプに入力する内部電源回路を開発した。
- 1997-08-13
著者
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