ヘリコンプラズマバイアスCVDにおける層間絶縁膜の埋設特性評価

概要

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ヘリコンプラズマ源と基板バイアス印加手法を用いて,SiH_4+O_2ガス系によるアルミニウム配線間スペースへのSiO_2膜の埋設を試み,ネットの成膜速度(埋設速度)のプラズマ源動力依存性を調べた.Sio_2の成膜速度は,SiH_4の供給律速であり,プラズマ源電力に依存しないことを見いだした.基板バイアス印加によるスパッタリング速度は,プラズマ源電力の増大に伴い,低下することが観測された.基板に発生するRFピーク電圧とセルフバイアス電圧を測定して,スパッタリング速度のプラズマ源電力依存性を考察した.ボイドの発生を抑制するスパッタリング速度は,バイアス電力だけでなく,プラズマ源電力によっても制御が可能であることを見いだした.また,プラズマ源電力とバイアス電力を低く設定した組合わせにおいても,十分なスパッタリング速度が得られることを見いだした.埋設速度は,SiH_4供給量によって定まる成膜速度とスパッタリング速度との差によって定まり,プラズマ源電力によって大幅な制御が可能な系であることがわかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-05-25