HSG形成における雰囲気の影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-12-03
著者
-
伊達 大樹
キヤノンアネルバ(株)
-
真白 すぴか
キヤノンアネルバ(株)
-
堀田 修
(株)荏原総合研究所
-
藤井 敏昭
荏原総合研究所
-
酒井 純朗
日電アネルバ(株)
-
伊達 大樹
アネルバ(株)
-
真白 すぴか
アネルバ(株)
-
川口 光夫
荏原総合研究所
-
酒井 純朗
アネルバ(株)
-
堀田 修
荏原総合研究所
関連論文
- 極薄SiGeバッファ層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 可搬型メタン分析計による廃棄物最終処分場からのメタン放出量の測定
- 光触媒を用いたUV/光電子法による密閉空間の超清浄化
- UV/光電子法による一般室内空気の清浄化
- 41340 UV/光電子法を用いた室内空間の空気浄化
- 29a-K-1 Si/Si_Ge_xにおけるファトルミネッセンススペクトルの圧力依存性II
- 12a-DE-9 Si/Si_Ge_Xにおけるフォトルミネッセンススペクトルの圧力依存性
- HSG形成における雰囲気の影響
- ヘリコンプラズマバイアスCVDにおける層間絶縁膜の埋設特性評価
- 極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長
- 極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長
- Au薄膜の大気下光電子放出に与える吸着分子の効果
- マルチチャンバ表面反応成長装置「1-2100SRE」 (特集 クォ-タミクロン時代の半導体製造装置)
- Si-MBEにおける表面欠陥の減少
- 冷陰極放電誘起発光分光法による分子線の検出
- EIES蒸発速度モニターを用いたMBE成長
- 超高真空CVDを用いたSiGe選択成長