極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 中津留 順子

  キヤノンアネルバ(株)

• 伊達 大樹

  キヤノンアネルバ(株)

• 池本 学

  キヤノンアネルバ(株)

関連論文

• 極薄SiGeバッファ層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長
• HSG形成における雰囲気の影響
• 極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長
• 極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長

スポンサーリンク