トップゲートTFTによる省プロセス高開口率ライトバルブ
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概要
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低誘電率の感光性層間絶縁膜を用いた電界遮へい電極(FSP)構造を採用し, TFTの電極間のスペース上に及ぶ透明電極を作製することにより, 高開口率のa-SiトップゲートTFTライトバルブを開発した. ボトムゲートTFTとの特性比較, およびトップゲートTFTの省プロセス化技術について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-25
著者
-
鵜飼 育弘
ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社研究部
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鵜飼 育弘
ホシデン株式会社開発技術研究所
-
中村 英樹
ホシデン株式会社開発技術研究所
-
鵜飼 育弘
ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社r&d
-
鵜飼 育弘
ホシデン株式会社
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鵜飼 育弘
ホシデン・フイリップス・ディスプレイ株式会社r&d
-
中川 卓宣
ホシデン株式会社ALCD事業部朴木剛
-
湯川 禎三
ホシデン株式会社開発技術研究所
-
中川 卓宣
ホシデン株式会社開発技術研究所
-
中川 卓宣
ホシデン株式会社alcd事業部 朴木剛
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