Bi_2SiO_5バッファ層を用いてSi基板上に形成したBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜の電気的特性

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概要

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• MOCVD法により基板温度500℃でSi(100)基板上にBi_2SiO_5バッファ層を用いてBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜を形成した。この時、(100)Bi_2SiO_5上に(001)Bi_4Ti_3O_12が得られた。それぞれの膜厚は、Bi_2SiO_5は30nm一定とし、Bi_4Ti_3O_12は100, 200, 400nmとした。次に、Pt/Bi_4Ti_3O_12/Bi_2SiO_5/Si MFIS構造を用いて、容量-電圧特性を評価したころ、強誘電体の分極を反映したと思われるヒステリシスが得られ、膜厚100, 200, 400nmに対し、メモリウインドウはそれぞれ0.8, 1.5, 2.9Vとなった。さらに、ゼロバイアスにおけるデータ保持特性を評価したところ、11日間でほとんど変化は見られなかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-24

著者

• 木島 健

  シャープ株式会社 機能デバイス研究所

• 松永 宏典

  シャープ株式会社機能デバイス研究所

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