木島 健 | シャープ株式会社 機能デバイス研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• シャープ株式会社 機能デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 木島 健

  シャープ株式会社 機能デバイス研究所

• 松永 宏典

  シャープ株式会社機能デバイス研究所

• 木島 健

  シャープ株式会社技術本部エコロジー技術開発センター

• 鈴木 薫

  大阪医科大学附属病院薬剤部

• 鈴木 薫

  ブラザー工業(株)

• 鈴木 薫

  シャープ株式会社技術本部エコロジー技術開発センター

• 長澤 豊

  シャープ株式会社技術本部エコロジー技術開発センター

• 佐藤 咲子

  シャープ株式会社 技術本部 機能デバイス研究所

• 木場 正義

  シャープ株式会社 技術本部 機能デバイス研究所

著作論文

• ゾルゲル法による強誘電体PZTキャパシタ形成とその分極疲労特性
• ゾルゲル法による強誘電体PZTキャパシタ形成とその分極疲労特性
• Bi_2SiO_5バッファ層を用いてSi基板上に形成したBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜の電気的特性
• Bi_2SiO_5バッファ層を用いてSi基板上に形成したBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜の電気的特性
• MOCVD法によるBi_4Ti_3O_薄膜の低温形成とその電気的特性
• 強誘電体Bi4Ti3O12の低温成膜とその電気的特性
• Si基板上に形成したBi_4Ti_3O_2強誘電体薄膜の電気的特性
• Si基板上に形成したBi_4Ti_3O_強誘電体薄膜の電気的特性
• MOCVD法による強誘電体Bi_4Ti_3O_薄膜の配向性に及ぼすBi/Ti組成比とO_2濃度の関係

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