MOCVD法による強誘電体Bi_4Ti_3O_<12>薄膜の配向性に及ぼすBi/Ti組成比とO_2濃度の関係
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概要
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MOCVD法によりPt被覆基板上にBi_4Ti_3O_<12>薄膜を形成する際のBi / Ti組成比とO_2濃度の及ぼす影響を検討したところ, O_2濃度が膜配向性に, Bi / Ti組成比が任意配向成分量にそれぞれ大きくかかわっていることを見出した.加えて, Bi_4Ti_3O_<12>膜を独自の柱状構造とすることで, Bi_4Ti_3O_<12>の比誘電率をεγ=40(バルクBi_4Ti_3O_<12>:ε_γ≒160)と制御することが可能となった.上記結果をもとにMFMIS構造を作製し, 容量-電圧特性を評価したところ, Bi_4Ti_3O_<12>強誘電体の分極を反映してC-Vヒステリシスが得られ, メモリウィンドウは2.0VとなりD-Eヒステリシスから予測した値とほぼ等しいものであった.また, ゼロバイアスにおけるデータ保持特性を評価したところ, 24時間でほとんど変化は見られなかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-25
著者
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