Si基板上に形成したBi_4Ti_3O_<12>強誘電体薄膜の電気的特性
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概要
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MOCVD法によりPt/200-nm-Bi_4Ti_3O_<12>/Pt/30-nm-Bi_2SiO_5/p-Si(Metal/Ferroelectric/Metal/Insulator/Semiconductor)構造を形成した。容量-電圧特性を評価したころ、Pt/Bi_2SiO_5/Si構造において、その周波数依存性より少数キャリアの電子が反転層を形成する過程が確認できた。またPt/Bi_4Ti_3O_<12>/Pt/Bi_2SiO_5/Si構造においてBi_4Ti_3O_<12>強誘電体の分極を反映してC-Vヒステリシスが得られ、メモリウインドウは2.0VとなりD-Eヒステリシスから予測した値とほぼ等しいものであった。また、ゼロバイアスにおけるデータ保持特性を評価したところ、24時間でほとんど変化は見られなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
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