RLSAを用いたラジカル酸化プロセスによる絶縁膜形成 : 低温ラジカル酸化膜の特性評価(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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フラッシュメモリの心臓部に当たるトンネル酸化膜は,800℃以上の高温熱プロセスで形成されている.しかし,酸化膜の信頼性の問題から薄膜化が困難であり,高速化,低消費電力化の妨げとなっている.本報ではRLSA(Radial Line Slot Antenna)を用いた500℃以下の低温ラジカル酸化プロセスの優位性を述べるとともに,ラジカル酸化膜の信頼性に関して,物理的,電気的特性からその優位性について考察する.
- 2003-10-13
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