RLSAを用いた酸窒化プロセスによる極薄膜ゲート絶縁膜形成(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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概要

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• プラズマを用いた酸窒化極薄ゲート絶縁膜の形成に関して、そのプラズマ特性に着目し、窒化メカニズムの検討を行った.ここでは低電子温度のRLSA(Radial Line Slot Antenna)プラズマを用いてその条件と発生するイオンの密度、エネルギー分布の関係を計測した。約2.0eV以上のエネルギーで窒化が起こり、2.0〜3.0eVではラジカルが主体となった窒化、そして3.0eV以上のエネルギーではイオンが主体となった窒化が起こっていることを示唆するデータが得られた。また、それぞれの条件でHFによるエッチングレート計測にて腹中ダメージ及び、XPSにて深さ方向プロファイルの違いを見積もった。これらの物性特性及びMOSFETを用いての電気特性結果から、酸窒化極薄ゲート絶縁談形成には低イオンエネルギー(3.0〜3.5eV近辺)に制御したプラズマによる窒化が適していることがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-10-13

著者

• 中西 敏雄

  東京エレクトロンat Spa開発技術部

• 西田 辰夫

  東京エレクトロンAT SPA開発技術部

• 佐藤 吉宏

  東京エレクトロンAT株式会社

• 松山 征嗣

  東京エレクトロンAT株式会社

• 尾崎 成則

  東京エレクトロンAT株式会社

• 尾崎 成則

  東京エレクトロンat(株)

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