ディジタル携帯電話用GaAsFET電力増幅器の位相特性の解析
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概要
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ディジタル携帯電話機に用いられるAB級動作のGaAsFET電力増幅器は,伝達位相変化の低減が高性能化のための研究課題である.しかしながら,特に問題となる位相特性の負荷インピーダンス依存性は,これまで詳細に解析されていなかった.本論文では,位相特性解析のために,電流源の代りに負のコンダクタンスを導入した新しいπ形のFET等価回路を提案した.この等価回路を用い,位相特性の負荷インピーダンス依存性の解析とシミュレーションを行った.解析の結果,ドレーン-ゲートコンダクタンスの増加とドレーンコンダクタンスの減少に対応して,入力電力の増加に伴い位相が先行し途中から位相の戻りを生じる山形の位相変化曲線が得られた.そして,その位相変化曲線は負荷インピーダンスに依存することを明らかにした.更に,実験を行い,位相変化がドレーン-ゲート電流の関数になっていることから,解析が正しいことが確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-25
著者
-
石崎 俊雄
松下電器産業(株)
-
上野 伴希
松下電器産業株式会社部品デバイス研究センタ材料部品研究所
-
池田 光
松下通信工業株式会社 コミュニケーションシステム事業部
-
吉川 嘉茂
松下電器産業株式会社材料部品研究所
-
池田 光
松下電器産業株式会社材料部品研究所
-
上野 伴希
松下電器産業株式会社 先端技術研究所
-
上野 伴希
松下電器産業(株)
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