煙突構造による導電性高分子ダイオードへの選択ドーピング(有機材料・一般)
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概要
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導電性高分子自立膜を用いたダイオードなどの素子は、可塑性を制限する支持基板を持たないため高分子膜自身の可塑性を最大限に活かすことができると考えられる。しかしながら、未ドープ状態の導電性高分子は一般的に導電率が低く、素子の直列抵抗が大きい、という問題点を持つ。一方、ドープ状態の導電性高分子に金属蒸着を施すと、ドーパントによる電極金属の腐食が生じる。本研究では導電性高分子ダイオードに取り付けた煙突状のドーパント溜めを用いて、化学的に安定な電極側のみに選択ドーピングを施し、直列抵抗の低減を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-12
著者
-
小野田 光宣
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
姫路工業大学 工学部
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
小野田 光宣
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
和田 昌之
姫路工業大学大学院工学研究科
-
多田 和也
姫路工業大学
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