GaAs 3.3V 156Mb/s光受信用前置増幅器IC
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概要
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近年, 光ディジタル伝送システムが各種ネットワークに適用されるようになってきている。そのなかで, 光受信器は, 高感度化, 広ダイナミックレンジ化とともに, 低電圧化が求められており, 各種前置増幅器ICの開発が行われている。今回, GaAs BP-MESFETを用い, 3.3 Vで動作する, 低雑音かつ, ダイナミックレンジの広い156Mb/s帯光受信用前置増幅器ICを開発し, 良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
牛窪 孝
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
小林 信夫
沖電気工業(株) 半導体技術研究所
-
片柳 哲夫
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
-
斎藤 正
沖電気工業株式会社化合物半導体事業推進センタ
-
兵頭 彰二
沖電気工業株式会社
-
牛窪 孝
沖電気工業株式会社 研究開発本部
-
斎藤 正
沖電気工業(株)電子部品事業本部
-
牛窪 孝
沖電気工業
-
片柳 哲夫
沖電気工業(株)研究開発本部
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