CoPtCr-SiO_2垂直磁気記録媒体の高次の一軸磁気異方住と高密度化(高密度磁気ストレージ材料 : 開発の現状・未来と解析技術)
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概要
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高次の一軸磁気異方性K_<u2>を利用した,垂直磁気記録媒体の高密度化に関する基礎検討を行った.Ruシード上に作製したCoPtCr-SiO_2媒体は,一軸磁気異方性の一次項K_<u1>が大きく,Co_<70>Pt_<30>組成で約1.3x10^7 erg/cm^3に達するが,K_<u2>の値は組成に依らず非常に小さいことがわかった.しかし,K_<u1>およびK_<u2>の値はシード層に用いる材料で大きく異なり,hcp-CoPtCrのc/a値が増加するにしたがい,K_<u2>の値が増加し,K_<u1>は逆に低下した.K_<u1>およびK_<u2>,hcp格子の変形ならびに積層欠陥密度に依存するものと考えられる.SiO_2の添加によりK_<u1>およびK_<u2>は低下するが,K_<u2>/K_<u1>はほとんど変化しない,CoPtCr-SiO_2媒体は,400Gbits/inch^2の記録密度を達成するために必要なK_<u1>とK_<u2>値を有することが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-28
著者
-
青井 基
東北大学電気通信研究所
-
村岡 裕明
東北大学電気通信研究所
-
島津 武仁
東北大学電気通信研究所
-
北上 修
東北大学多元物質科学研究所
-
中村 慶久
東北大学電気通信研究所
-
島津 武仁
東北大学電気通信研究所it21
-
北上 修
東北大学 多元物質科学研究所
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