圧縮歪InGaAs/InGaAlAs量子井戸に於ける室温励起子の光学的評価
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概要
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圧縮歪を有するInGaAs, InGaAlAs量子井戸に於ける室温励起子を吸収測定,変調透過測定およびPL測定により光学的に評価し,励起子遷移のエネルギー,振動子強度,結合エネルギー,還元有効質量の井戸層厚依存性を明らかにした。遷移エネルギーの値は歪によるヘビーホールとライトホールの分離を考慮した計算結果と良く一致した。歪系に於ける振動子強度は格子整合系に比べ35から45%小さかった。これは歪系での面内有効質量の減少により励起子半径が増加したためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
平山 雄三
(株)東芝研究開発センター
-
平山 雄三
東芝研究開発センタ
-
Choi Woo-Young
Massachusetts Institute of Technology
-
Fonstad Clifton
Massachusetts Institute of Technology
-
Choi Woo-young
Department Of Electrical And Computer Engineering Yonsei University
-
Fonstad C
Massachusetts Inst. Technol. Ma Usa
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