高濃度Seドープ埋め込みを用いたp型InP基板上のアレイレーザ
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概要
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1.3μm帯のInGaAsP低しきい値アレイレーザは、超高速計算機や大容量交換機などの装置間あるいはボード間の光インターコネクションを実現するキーデバイスである。アレイレーザは、駆動用ICとの整合性から、p型InP基板を用いて埋め込み構造を作製する必要がある。今回、量産性に適したMOCVD法による埋め込み構造のレーザ作製において、活性層側面のn型電流ブロック層の形状が、Seのドーピングにより制御できることを見いだした。その結果、高温・低しきい値動作を実現するために不可欠なn型電流ブロック層とn型クラッド層の分離が制御よくできるようになるとともに、しきい電流が2.4mA±0.2mA、またスロープ効率が0.35W/A±0.02W/Aと均一性のすぐれた12チャンネルアレイレーザが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
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平山 雄三
(株)東芝研究開発センター
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高岡 圭児
(株)東芝 研究開発センター
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高岡 圭児
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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平山 雄三
(株)東芝材料・デバイス研究所
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平山 雄三
(株)東芝同社究
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櫛部 光弘
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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泉谷 敏英
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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国分 義弘
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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