1.3μm帯InGaAsP低しきい値歪み量子井戸レーザ
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概要
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近年、光インターコネクションなどへの応用を目指したInGaAsP系1.3μm帯低しきい値レーザの開発が盛んである。我々は、高濃度Seドーピングを用いることで、p型InP基板上の埋め込みレーザが容易に作製できることを見いだすとともに、しきい電流と温度特性の両方を考慮した歪みMQW構造の最適化を行った。また、しきい電流密度の解析を行い、究極的には0.2mA以下のしきい値も期待できることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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平山 雄三
(株)東芝研究開発センター
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高岡 圭児
(株)東芝 研究開発センター
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高岡 圭児
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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平山 雄三
(株)東芝材料・デバイス研究所
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平山 雄三
(株)東芝同社究
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櫛部 光弘
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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泉谷 敏英
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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国分 義弘
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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