透明性静電気保護膜の試作
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概要
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電子部品の運搬中における静電気傷害を低減させる技術の一つとして、安価で容易に既存容器等に導電性を付加する技術の確立を目指し、スプレー法による導電性酸化スズ(IV)薄膜の作製を試みた。スプレー法により酸化スズ(IV)薄膜を基板上に作製する場合、基板に細かな霧のみを堆積させると透明な膜を得ることができた。塩化スズ(IV)の加水分解により酸化スズ(IV)薄膜を作製する方法では、220〜230℃のところで脱水反応が起こり、導電性が現れるものと思われる。作製時の基板温度が上昇するにつれて、薄膜形成速度は上昇し、薄膜の抵抗率は減少した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-18
著者
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