ICの電圧サージによる特性劣化

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概要

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CM0S集積回路に静電気放電と雷サージを印加し、その耐性を検討した。静電気印加では、マシンモデル、人体モデル、デバイス帯電モデルを採用し、それぞれについてICの破壊電圧を測定した。その結果、マシンモデルでは0.9kV、人体モデルでは8kVでICが完全に破壊されることがわかった。デバイス帯電モデルでは、装置の絶縁耐圧である4kVでも劣化しなかった。ICは雷サージに対して非常に弱く、波高値50V程度の雷サージで破壊に至った。また、1回の静電気放電では特性劣化に至らない電圧でも、複数回の印加でICを破壊させることを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-12-15

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