面発光レーザ/HBT集積素子の開発

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概要

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• 面発光レーザ(SEL)上にヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を縦型に集積したSEL,HBTを開発した。また、SEL/HBTの8X8アレイを作製した面発光レーザのp型ブラッグ反射器(DBR)をコモンアノードとすることにより、グレーディッド層をヘテロ界面に導入することなく抵抗を低減できた。面発光レーザの発振しきい値は3.5mA(室温パルス)、HBTの電流増幅率は40以上であった。さらに、HBTのベース電流によるSEL発光強度の変調も確認した。p型DBRの上部1対とp型クラッド層のドーピング濃度を従来の3倍に増やしたコモンアノードSELは、しきい値3mAで室温連続発振した。現在、これをSEL/HBTに適用すべく検討中である。

• 1994-06-23

著者

• 小林 康宏

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 松田 賢一

  松下電器産業(株) 半導体研究センター

• 知野 豊治

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 知野 豊治

  松下電器半導体研究センター

• 小林 康宏

  松下電器半導体研究センター

• 松田 賢一

  松下電器半導体研究センター

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